MOSFET器件

发布时间：2024-01-09 20:50:00   来源：小9直播app最新版下载/软启动器

  IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展形态趋势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大

  Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

  新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓

  Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗AI应用的最佳器件

  三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

  誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

  10月13日，誉鸿锦半导体在深圳国际会展中心（宝安新馆) 正式举办氮化镓（GaN）器件品牌发布会，暨誉鸿锦2023年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命

  Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

  使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 － 2023 年 10月 12日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商Transphorm

  Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑

  与安川电机公司合作取得的这项成果，充分的利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产

  ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％

  近年来，为实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设施的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名

  【聚焦】负性光刻胶可应用于显示器件、半导体等领域 我国行业发展面临挑战

  近年来，受下游应用开发力度不足等因素限制，我国聚异戊二烯装置开工率较低，导致需求高度依赖进口。原材料供应不足为负性光刻胶行业发展带来一定挑战。 光刻胶种类丰富，按照化学反应机理和显影原理不同，可分为正性光刻胶和负性光刻胶两类

  安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

  作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为实现用户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商持续不断的增加车辆的电池容量

  Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型

  该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统加州戈利塔－－（2023年5月31日）－－ 高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供应

  Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为

  无需人工计算，参数可随用户输入动态响应奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅度的提高了对半导体工程师的设计支持标准

  Nexperia推出能源采集PMIC，以加速开发环境友好型能源自主式低功耗器件

  电容式DC－DC转换器有助于节省高达90％的BOM成本奈梅亨，2023年4月7日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出能量采集解决方案，进一步丰富其电源管理IC系列。该方案可简化低功耗物联网（IoT）及其嵌入式应用，并增强应用性能

  Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩小60％

  RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用

  英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

  【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现顶配水平的性能和功率密度。为顺应这一发展的新趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

  瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

  全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中国北京讯 － 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC

  SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先意法半导体

  Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品

  PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压，为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案奈梅亨，2022年12月19日：基础半导体器件领域的高产能

  立足优势 持续领先：KIOXIA铠侠新一代UFS嵌入式闪存器件已批量交货

  全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠中国近日宣布，今年其最新发布的业界首款支持MIPI M－PHYv5．0的通用闪存Universal Flash Storage （以下简称：UFS） 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃

  圆满收官、期待再会！蓉矽半导体携碳化硅功率器件惊艳亮相2022慕尼黑华南电子展

  2022慕尼黑华南电子展（以下简称“慕尼黑展”或“展会”）于11月15日正式开展，展会已于17日圆满闭幕。本届慕尼黑展汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等丰富内容

  聚能创芯携高性能、低成本GaN器件产品和应用方案成功亮相2022慕尼黑华南电子展！

  2022慕尼黑华南电子展览会已于11月15日－17日在深圳国际会展中心成功举办。本届慕尼黑华南电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容有了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等

  Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍

  全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件